（1）空氣-膜界面處溶劑含量不斷下降，直至達(dá)到臨界濃度。

（2）從這個(gè)臨界點(diǎn)開(kāi)始，空氣-膜界面處溶劑濃度保持不變，

（3）當(dāng)溶劑進(jìn)一步蒸發(fā)時(shí)，空氣-膜界面處溶劑溶度開(kāi)始下降，直到膜形成。

下圖為不同烘烤速率情況下，從集流體到氣液界面的粘結(jié)劑濃度分布情況，從圖可知，在低烘烤速率（LDR）的情況下，不同位置的粘結(jié)劑分布相對(duì)均勻，而在高烘烤速率（HDR）情況下，從集流體到氣液界面的粘結(jié)劑濃度不斷變大，在集流體與敷料區(qū)處粘結(jié)劑分布很少，這將直接導(dǎo)致剝離強(qiáng)度下降，此外電極阻抗也會(huì)相應(yīng)增大。

• 低面密度電極，電極阻抗基本上不受溫度的影響，這主要是因?yàn)槿軇┛偭康筒⑶译姌O結(jié)構(gòu)固化快，粘結(jié)劑不會(huì)有明顯的遷移。

• 高面密度電極則表現(xiàn)完全不一樣的特性，恒速蒸發(fā)階段很長(zhǎng)，給粘結(jié)劑遷移提供了足夠的時(shí)間，隨著溫度升高，粘結(jié)劑和炭黑遷移現(xiàn)象加劇，導(dǎo)致剝離強(qiáng)度變差，并且電極阻抗也會(huì)增大。

  
  

• 在80℃下，不同面密度的剝離強(qiáng)度差別不大。

• 當(dāng)達(dá)到110℃時(shí)，遷移速度將會(huì)增大，面密度增大到5.4mg/cm2，那么干燥時(shí)間會(huì)增大，這會(huì)給粘結(jié)劑提供足夠的遷移時(shí)間，當(dāng)面密度進(jìn)一步增大到12mg/cm2時(shí)，剝離強(qiáng)度會(huì)降低52%。

• 當(dāng)溫度增大到130℃時(shí)，遷移現(xiàn)象會(huì)進(jìn)一步加劇，導(dǎo)致剝離強(qiáng)度變差。

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